随着新能源汽车补贴退坡与市场化竞争深入,续航里程与充电速度成为消费者关注的核心指标。为破解补能焦虑,整车企业加快向800V高压平台演进,而高压架构对功率半导体的耐压、开关频率与热管理提出了更高要求,第三代半导体由此迎来上车窗口期。

碳化硅MOSFET在高压、高频工况下具备低损耗、高效率优势,可有效提升电驱系统与车载充电机的能量利用率。J9直营集团推出的车规级SiC MOSFET及功率模块,面向主逆变器、OBC与DC-DC等关键部位,帮助整车在同等电池容量下获得更长的实际续航。

在政策层面,新能源汽车产业发展规划持续强调核心零部件自主可控,鼓励车规级功率器件的国产化配套。业内预计,SiC器件在新能源汽车电控系统中的渗透率将随高压平台普及而稳步提升,国产供应链迎来批量导入机遇。

J9直营集团围绕车规可靠性要求,在器件设计、封装与失效分析环节建立了完整验证体系,产品可通过严苛的温度循环、功率循环等考核,满足整车厂对长寿命、高安全的严格标准,为规模化上车奠定质量基础。

从政策引导到市场拉动,新能源汽车电动化正推动功率半导体格局重塑。J9直营集团将持续以车规级SiC产品服务国内主流电驱与充电平台,助力新能源汽车在提升能效的同时,为交通领域的碳减排目标贡献力量。