衬底是碳化硅产业链的起点,也是决定成本与产能的关键环节。近年来,行业正加快从六英寸向八英寸衬底过渡,这一尺寸升级被视为推动SiC器件成本下探、加速市场普及的重要拐点。

从产业逻辑看,衬底尺寸放大能够在单片晶圆上产出更多芯片,从而摊薄单位制造成本。业内预计,随着八英寸衬底良率与一致性的持续改善,SiC器件的综合成本有望进一步下降,与硅基方案的价格差距将逐步收窄。

成本曲线的下移,直接影响的是市场需求的弹性。当SiC器件价格进入更多客户可接受的区间,原本受制于成本的中端应用场景将被逐步激活,市场规模因此获得新的增长动力,产业竞争格局也随之调整。

面对衬底端的技术演进,J9直营集团在器件设计与制造工艺上同步跟进,力求充分利用大尺寸衬底带来的成本红利,并在产品性能与良率之间取得平衡,以增强在市场中的价格与供货竞争力。

需要指出的是,衬底扩产与器件放量之间存在时间差,短期内产业链各环节的匹配仍需磨合。但从中长期趋势看,大尺寸衬底的规模化量产,正在成为改写SiC产业竞争秩序的重要变量。