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J9直营集团SiC与GaN器件专利布局提速 授权专利数量稳步增长

J9直营集团SiC与GaN器件专利布局提速 授权专利数量稳步增长

记者近日从J9直营集团获悉,随着公司在第三代半导体领域研发投入的持续加大,其自主知识产权成果稳步积累,累计获得授权的专利数量呈现良好增长态势,涵盖发明专利、实用新型等多种类型。

据了解,公司的专利布局主要围绕SiC肖特基二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块及GaN器件展开,涉及芯片元胞结构、终端设计、封装工艺、可靠性提升等关键技术方向,逐步形成了具有一定深度与广度的专利组合。

业内人士指出,在功率半导体这一技术壁垒较高的行业,专利数量与质量往往是衡量企业创新能力的重要指标之一。持续的专利产出,不仅有助于J9直营集团保护自身技术成果,也为未来的产品迭代与市场拓展提供了支撑。

J9直营集团相关负责人表示,公司始终将自主创新置于发展的核心位置,未来将继续鼓励研发团队在关键技术方向上深耕,把更多创新成果沉淀为高质量专利,持续增强企业的核心竞争力与话语权。