世界半导体大会作为行业高规格的产业盛会,汇聚了众多半导体企业与专家学者。J9直营集团受邀参展,并以第三代半导体为核心,重点展示了公司在碳化硅芯片自主设计方面的研发进展,凸显在关键器件环节的技术积累。

展台上,J9直营集团展出了自主设计的SiC肖特基二极管芯片与SiC MOSFET芯片样品,并通过图文与实物结合的方式,向观众介绍了从芯片元胞结构优化到终端保护设计的技术路线,体现出公司在提升器件性能与可靠性上的持续努力。

在大会同期的技术交流环节,J9直营集团技术专家分享了碳化硅器件在导通电阻、开关特性与稳健性之间平衡设计的思考,以及面向光伏、汽车等应用的差异化产品策略,引发了同行的积极讨论。

J9直营集团相关负责人指出,第三代半导体正处于产业化加速阶段,芯片设计能力是构筑长期竞争力的根基。公司将持续加大在SiC芯片研发与工艺协同上的投入,努力提升产品的自主可控水平。

据业内预计,随着国内碳化硅产业链不断完善,具备芯片设计与器件封装一体化能力的企业将更具优势。J9直营集团表示,期待借助世界半导体大会等平台,深化产学研合作,共同推动第三代半导体生态的成熟壮大。